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描述：SZMB-9-B防爆型磁電轉(zhuǎn)速傳感器：Insb與硅襯底霍爾器件典型工作電流為10mA。而化鎵典型工作電流為2 mA。作為低弱磁場測量，我們希望傳感器自身所需的工作電流越低越好。
SZMB-9-B防爆型磁電轉(zhuǎn)速傳感器
轉(zhuǎn)速傳感器由磁敏電阻作感到元件，是新型的轉(zhuǎn)速傳感器。中央部件是采用磁敏電阻動(dòng)作檢測的元件，再經(jīng)歷全新的信號(hào)打點(diǎn)電途令噪聲消重，效力更完備。通過與其它類型齒轉(zhuǎn)速傳感器的輸出波形比照，所測到轉(zhuǎn)速的偏差極小以及線性個(gè)性具有很好的類似性.感到對象為磁性資料或?qū)Т刨Y料，如磁鋼、鐵和電工鋼等。當(dāng)被測體上帶有突出（或凹陷）的磁性或?qū)Т刨Y料，跟著被測物體轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，傳感器輸出與回旋頻率干系的脈沖信號(hào)，抵達(dá)測速或位移檢測的發(fā)訊主意。
SZMB-9-B防爆型磁電轉(zhuǎn)速傳感器
簡介
磁敏式傳感器都是利用半導(dǎo)體材料中的自由電子或空穴隨磁場改變其運(yùn)動(dòng)方向這一特性而制成的。（磁電效應(yīng)）。按其結(jié)構(gòu)可分為體型和結(jié)構(gòu)兩大類。
體型的有霍爾傳感器，其主要材料InSb（銻化銦）、InAs（化銦）、Ge（鍺）、Si、GaAs等和磁敏電阻InSb、InAs。
結(jié)型的有磁敏二極管Ge、Si，磁敏晶體管Si。則材料的電阻將減小;如果磁化方向轉(zhuǎn)向平行于電流的方向，則材料的電阻將增大。。除上述應(yīng)用外，磁電式傳感器還常用于扭矩、轉(zhuǎn)速等測量。
磁阻傳感器，磁敏二極管等是繼霍爾傳感器后派生出的另一種磁敏傳感器。采用的半導(dǎo)體材料于霍爾大體 相同。但這種傳感器對磁場的作用機(jī)理不同，傳感器內(nèi)載流子運(yùn)動(dòng)方向與被檢磁場在一平面內(nèi)。（順便提醒一點(diǎn)，霍爾效應(yīng)于磁阻效應(yīng)是并存的。在制造霍爾器件時(shí) 應(yīng)努力減少磁阻效應(yīng)的影響，而制造磁阻器件時(shí)努力避免霍爾效應(yīng)（在計(jì)算公式中，互為非線性項(xiàng)）。在磁阻器件應(yīng)用中，溫度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制 備方面，磁阻器件由于與霍爾不同，因此，早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大，現(xiàn)在多制成單臂（兩只磁敏電阻串聯(lián)）主要是為補(bǔ)償溫度漂移。目前也有 全橋產(chǎn)品，但用法（目的）與霍爾器件略有差異。據(jù)報(bào)導(dǎo)磁阻器件的響應(yīng)速度同霍爾1uS量級(jí)。
